Gambar adalah untuk referensi, silahkan hubungi kami untuk mendapatkan gambaran nyata
Nomor Bagian Pabrikan: | NCV33152DR2G |
Pabrikan: | Rochester Electronics |
Bagian dari Deskripsi: | BUFFER/INVERTER BASED MOSFET DRI |
Lembar data: | NCV33152DR2G Lembar data |
Status Bebas Timbal / Status RoHS: | Bebas Timbal / Sesuai RoHS |
Kondisi Stok: | Persediaan |
Kirim Dari: | Hong Kong |
Cara pengiriman: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Jenis | Keterangan |
---|---|
Seri | - |
Paket | Bulk |
Status Bagian | Active |
Konfigurasi yang Didorong | Low-Side |
Jenis Saluran | Independent |
Jumlah Pengemudi | 2 |
Jenis Gerbang | N-Channel MOSFET |
Sumber tegangan | 6.1V ~ 18V |
Tegangan Logika - VIL, VIH | 0.8V, 2.6V |
Arus - Output Puncak (Sumber, Tenggelam) | 1.5A, 1.5A |
Tipe masukan | Non-Inverting |
Tegangan Sisi Tinggi - Maks (Bootstrap) | - |
Waktu Naik / Turun (Tip) | 36ns, 32ns |
Suhu Operasional | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Jenis Pemasangan | Surface Mount |
Paket / Kasus | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paket Perangkat Pemasok | 8-SOIC |
Status stok: 16794
Minimum: 1
Kuantitas | Harga satuan | Eks. Harga |
---|---|---|
Harga tidak tersedia, mohon RFQ |
US $40 oleh FedEx.
Tiba dalam 3-5 hari
Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Gratis pengiriman 0,5kg pertama untuk pesanan lebih dari $150, Kelebihan berat badan akan dikenakan biaya secara terpisah