Gambar adalah untuk referensi, silahkan hubungi kami untuk mendapatkan gambaran nyata
Nomor Bagian Pabrikan: | SISH108DN-T1-GE3 |
Pabrikan: | Vishay / Siliconix |
Bagian dari Deskripsi: | MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8SH |
Lembar data: | SISH108DN-T1-GE3 Lembar data |
Status Bebas Timbal / Status RoHS: | Bebas Timbal / Sesuai RoHS |
Kondisi Stok: | Persediaan |
Kirim Dari: | Hong Kong |
Cara pengiriman: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Jenis | Keterangan |
---|---|
Seri | TrenchFET® Gen II |
Paket | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
Status Bagian | Active |
Jenis FET | N-Channel |
Teknologi | MOSFET (Metal Oxide) |
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) | 20 V |
Arus - Pembuangan Berkelanjutan (Id) @ 25 ° C | 14A (Ta) |
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif) | 4.5V, 10V |
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs | 4.9mOhm @ 22A, 10V |
Vgs (th) (Maks) @ Id | 2V @ 250µA |
Gerbang Mengisi (Qg) (Maks) @ Vgs | 30 nC @ 4.5 V |
Vgs (Maks) | ±16V |
Input Kapasitansi (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Fitur FET | - |
Pembuangan Daya (Maks) | 1.5W (Ta) |
Suhu Operasional | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Jenis Pemasangan | Surface Mount |
Paket Perangkat Pemasok | PowerPAK® 1212-8SH |
Paket / Kasus | PowerPAK® 1212-8SH |
Status stok: 6000
Minimum: 1
Kuantitas | Harga satuan | Eks. Harga |
---|---|---|
Harga tidak tersedia, mohon RFQ |
US $40 oleh FedEx.
Tiba dalam 3-5 hari
Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Gratis pengiriman 0,5kg pertama untuk pesanan lebih dari $150, Kelebihan berat badan akan dikenakan biaya secara terpisah