Gambar adalah untuk referensi, silahkan hubungi kami untuk mendapatkan gambaran nyata
Nomor Bagian Pabrikan: | SIHB100N60E-GE3 |
Pabrikan: | Vishay / Siliconix |
Bagian dari Deskripsi: | MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK |
Lembar data: | SIHB100N60E-GE3 Lembar data |
Status Bebas Timbal / Status RoHS: | Bebas Timbal / Sesuai RoHS |
Kondisi Stok: | Persediaan |
Kirim Dari: | Hong Kong |
Cara pengiriman: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Jenis | Keterangan |
---|---|
Seri | E |
Paket | Tube |
Status Bagian | Active |
Jenis FET | N-Channel |
Teknologi | MOSFET (Metal Oxide) |
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) | 600 V |
Arus - Pembuangan Berkelanjutan (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif) | 10V |
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 13A, 10V |
Vgs (th) (Maks) @ Id | 5V @ 250µA |
Gerbang Mengisi (Qg) (Maks) @ Vgs | 50 nC @ 10 V |
Vgs (Maks) | ±30V |
Input Kapasitansi (Ciss) (Max) @ Vds | 1851 pF @ 100 V |
Fitur FET | - |
Pembuangan Daya (Maks) | 208W (Tc) |
Suhu Operasional | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Jenis Pemasangan | Surface Mount |
Paket Perangkat Pemasok | D²PAK (TO-263) |
Paket / Kasus | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Status stok: 987
Minimum: 1
Kuantitas | Harga satuan | Eks. Harga |
---|---|---|
Harga tidak tersedia, mohon RFQ |
US $40 oleh FedEx.
Tiba dalam 3-5 hari
Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Gratis pengiriman 0,5kg pertama untuk pesanan lebih dari $150, Kelebihan berat badan akan dikenakan biaya secara terpisah